高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究

• 作者: 戴灵恩 施朱斌 李刚 桑文斌 赵岳 钱永彪 闵嘉华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碲锌镉 低温PL 深能级瞬态谱 缺陷能级
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1049-1053
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.037

摘要

利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In+Cd],同时[In+Cd]还与[v2-Cd]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学材料科学与工程学院	53	535	15.0	20.0
2	李刚	上海大学材料科学与工程学院	19	68	6.0	7.0
3	闵嘉华	上海大学材料科学与工程学院	54	281	10.0	15.0
4	赵岳	上海大学材料科学与工程学院	10	12	2.0	3.0
5	施朱斌	上海大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0
6	钱永彪	华瑞科学仪器(上海)有限公司传感器工程技术中心	4	9	1.0	3.0
7	戴灵恩	上海大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0