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摘要:
采用特征矩阵法计算了一层掺杂、双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的变化特征,得到了掺杂层数的变化对缺陷模的数目、峰高和半高宽都有明显的影响.一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模;双层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模,中心缺陷模的半高宽随掺杂层数的增加而减小.对称缺陷模的峰高和半高宽都随掺杂层数的增加而减小;对称缺陷模的位置随掺杂层数的增加而向中心缺陷模移动.
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文献信息
篇名 多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响
来源期刊 重庆工商大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 光子晶体 特征矩阵 缺陷模 多掺杂
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 电子信息技术
研究方向 页码范围 354-357
页数 4页 分类号 O436
字数 1972字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-058X.2008.04.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘启能 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院 169 1028 19.0 24.0
2 张翠玲 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院 15 38 4.0 5.0
3 胡莉 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院 17 32 4.0 5.0
4 林睿 重庆工商大学计算机科学与信息工程学院 16 90 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
光子晶体
特征矩阵
缺陷模
多掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
重庆工商大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-058X
50-1155/N
16开
重庆市南岸区学府大道21号
1983
chi
出版文献量(篇)
3397
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6
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14776
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