高能质子辐照缺陷对晶闸管开关特性的影响

• 作者: 廖志君 林理彬 邹睿
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 高能质子辐照 晶闸管 红外光谱
• 年，卷（期）: 2000,（Z1）
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN342+.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.z1.011

摘要

讨论了高能质子辐照产生缺陷类型及其对晶闸管开关特性的影响.不同能量的单束质子辐照和双束质子辐照晶闸管,提高了其开关特性.由红外吸收光谱得知,影响晶闸管通态压降的主要因素是单空位缺陷类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬		90	605	13.0	20.0
2	邹睿		8	23	3.0	4.0
3	廖志君		17	37	4.0	5.0