电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO2膜的电流增强及模型解释

• 作者: 冯文修 刘剑 田浦延 陈蒲生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子隧穿 快速热氮化 SiO2膜 晶向硅
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1411-1415
• 页数: 5页
• 分类号: O482.4
• 字数: 3794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.012

摘要

用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流.研究结果表明:经RTN SiO2膜比原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象.比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈蒲生	华南理工大学应用物理系	15	21	2.0	3.0
2	刘剑	华南理工大学应用物理系	19	147	7.0	12.0
3	冯文修	华南理工大学应用物理系	10	10	2.0	2.0
4	田浦延	华南理工大学应用物理系	6	11	2.0	3.0