用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

• 作者: 刘训春 陈俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 参数提取 模拟退火算法 HFET S参数 小信号等效电路
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.015

摘要

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取HFET的小信号等效电路模型参数.采用带回火的模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数，得到了高质量的解.计算结果是全局最优解，摆脱了初始值的影响，并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题.利用测量得到的栅电阻，计算结果的精度可以进一步提高.这个算法同样也适用于HBT、电容和电感等器件模型参数的提取.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊	中国科学院微电子研究和发展中心	43	745	14.0	27.0
2	刘训春	中国科学院微电子研究和发展中心	43	222	9.0	11.0