Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure

• 作者: 吴荣汉 唐君 杜云 梁琨 潘钟 王启明 邓晖 陈弘达 马晓宇 黄永箴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 谐振腔 SEED 面阵 光电子器件
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 113-116
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.001

摘要

讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长．设计和分析了InGaAs／GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构．多量子阱材料是用MOCVD系统生长，利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析，测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量，证明了器件结构的设计和分析是准确的．