通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤

• 作者: 刘海波 张进城 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接栅电流测量 热载流子损伤
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.014

摘要

通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSFET's热载流子损伤的生长规律.由此,给出了热载流子引起PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释.并证明了直接栅电流测量是一种很好的研究器件损伤生长和器件参数退化的实验方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	刘海波	西安电子科技大学微电子研究所	6	12	2.0	3.0