PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型

• 作者: 张进城 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS器件 热载流子退化 退化模拟 寿命评估
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1586-1591
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.022

摘要

对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究,给出了一个新的器件退化监控量,并建立了不同器件参数退化的统一模型.模拟结果和测量结果的比较表明,新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围.新的退化模型不但可以用于器件参数退化量的模拟,也可以用于器件寿命评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	朱志炜	西安电子科技大学微电子研究所	19	96	5.0	8.0