一个新的pMOSFET栅电流退化模型

• 作者: 刘海波 张进城 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: pMOSFET 热载流子退化 栅电流退化模型
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1315-1319
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.018

摘要

研究了最大栅电流应力(即pMOSFET最坏退化情况)下pMOSFET栅电流的退化特性.实验发现,在最大栅电流应力下,pMOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律.给出了所有这些现象的详细物理解释,并在此基础上提出了一种新的用于pMOSFET寿命评估的栅电流退化模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子所	52	301	9.0	14.0
3	刘海波	西安电子科技大学微电子所	6	12	2.0	3.0
4	朱志炜	西安电子科技大学微电子所	19	96	5.0	8.0