基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

• 作者: 赵天绪 郝跃 马佩军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 关键面积 随机扰动 缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.023

摘要

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	马佩军	西安电子科技大学微电子所	34	163	8.0	10.0
3	赵天绪	西安电子科技大学微电子所	23	88	6.0	8.0