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提取带权关键面积的新算法
提取带权关键面积的新算法
作者:
任春丽
张会宁
张晓菊
王俊平
郝跃
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
桥形故障
矩形缺陷模型
版图分析
数学形态学
摘要:
导体故障分析是一种列举与缺陷有关的集成电路版图中可能出现桥连的技术,计算带权关键面积是限制其性能的主要因素.文中提出了一种基于数学形态学和真实缺陷矩形模型提取带权关键面积的新算法,该算法不需要将版图上的线网拆分为矩形,也不需要合并矩形对的带权关键面积.实验结果验证了新算法的有效性.
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文献信息
篇名
提取带权关键面积的新算法
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
桥形故障
矩形缺陷模型
版图分析
数学形态学
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
24-29
页数
6页
分类号
TN43
字数
1282字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郝跃
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
312
1866
17.0
25.0
2
张晓菊
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
11
35
4.0
5.0
3
张会宁
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
9
90
5.0
9.0
4
任春丽
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
16
17
2.0
4.0
5
王俊平
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
31
284
10.0
16.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(20)
共引文献
(8)
参考文献
(7)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1998(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1999(5)
参考文献(0)
二级参考文献(5)
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二级参考文献(1)
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参考文献(1)
二级参考文献(2)
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二级参考文献(2)
2003(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2004(4)
参考文献(1)
二级参考文献(3)
2005(4)
参考文献(2)
二级参考文献(2)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
桥形故障
矩形缺陷模型
版图分析
数学形态学
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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