退火处理后非掺磷化铟的电传输特性

• 作者: C.D.Beling 冯汉源 孙同年 孙聂枫 林兰英 罗以琳 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 半绝缘 退火
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.001

摘要

利用变温霍尔和电流-电压特性(I-V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量.在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生非掺磷化铟的情况类似.非掺SI-InP表现出不同于原生掺铁的SI-InP的I-V特性,在一直到击穿为止的外加电场范围内呈欧姆特性,而掺铁SI-InP的I-V具有与陷阱填充有关非线性特征.根据空间电荷限制电流的理论,这种现象可以解释为非掺SI-InP中没有未被电子占据的空的深能级缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所材料中心	33	145	7.0	10.0
2	罗以琳	汕头大学物理系	5	11	2.0	3.0
3	冯汉源	香港大学物理系	4	7	1.0	2.0
4	赵有文	中国科学院半导体研究所材料中心	42	217	7.0	11.0
5	C.D.Beling	香港大学物理系	4	23	2.0	4.0
6	孙聂枫		2	4	1.0	2.0
7	孙同年		2	4	1.0	2.0