非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷

• 作者: C.D.Beling 冯汉源 孙同年 孙聂枫 林兰英 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 施主缺陷PACC:6110C 8160 7120
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 455-458
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.002

摘要

用辉光放电质谱(GDMS)测量了原生液封直拉(LEC)磷化铟(InP)的杂质含量.利用霍尔效应测到的非掺LEC-InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度.在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸收谱测到浓度很高的一个氢-铟空位复合体施主缺陷.这个施主的浓度随着电离的铁受主Fe2+浓度的增加而增加.这些结果表明半绝缘体中氢-铟空位复合体施主缺陷的存在对铁掺杂浓度和电学补偿都有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所材料中心	33	145	7.0	10.0
2	冯汉源	香港大学物理系	4	7	1.0	2.0
3	赵有文	中国科学院半导体研究所材料中心	42	217	7.0	11.0
4	孙聂枫		4	31	3.0	4.0
5	孙同年		3	24	2.0	3.0
6	C.D.Beling	香港大学物理系	4	23	2.0	4.0