高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

• 作者: 杨俊 王博 苗杉杉 董志远 赵有文 邓爱红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 电子辐照 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1603-1607
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 4165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.061

摘要

对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究.除铁受主外,磷化铁(FeP2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23 eV,O.26 eV,O.31 eV,0.37 eV和0.46 eV.磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征.与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化.在同样的条件下,经FeP2气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快.根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院应用物理系	26	66	5.0	6.0
2	王博	四川大学物理科学与技术学院应用物理系	34	142	7.0	11.0
3	杨俊	四川大学物理科学与技术学院应用物理系	29	94	6.0	8.0
4	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
5	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
6	苗杉杉	四川大学物理科学与技术学院应用物理系	4	24	3.0	4.0