高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

• 作者: 孙同年 孙聂枫 林兰英 焦景华 董宏伟 赵建群 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 退火
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 285-289
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.011

摘要

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所材料中心及材料科学开放实验室	33	145	7.0	10.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所材料中心及材料科学开放实验室	42	217	7.0	11.0
3	董宏伟	中国科学院半导体研究所材料中心及材料科学开放实验室	5	75	4.0	5.0
4	焦景华	中国科学院半导体研究所材料中心及材料科学开放实验室	4	24	3.0	4.0
5	赵建群	中国科学院半导体研究所材料中心及材料科学开放实验室	3	22	3.0	3.0
6	孙聂枫		4	31	3.0	4.0