非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

• 作者: 余鑫祥 周宇璐 喻菁 张丽然 张英杰 赵有文 邓爱红 陈燕 龙娟娟
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化铟 正电子寿命谱 电子辐照 缺陷
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1069-1072
• 分类号: O46
• 字数: 2755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2010.05.025

摘要

本文针对磷化铁(FeP2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电予寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.