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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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91. 非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 用辉光放电质谱(GDMS)测量了原生液封直拉(LEC)磷化铟(InP)的杂质含量.利用霍尔效应测到的非掺LEC-InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度.在非掺和掺铁InP中都可以用红外...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 提出了一种新的时钟性能驱动的增量式布局算法,它针对目前工业界较为流行的标准单元布局,应用查找表模型来计算延迟.由于在布局阶段较早地考虑到时钟信息,可以通过调整单元位置,更有利于后续的有用偏差...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响.当初始化仪转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数逐渐增大,透过率逐渐减小;当激光功率固定时,随...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 ZnS纳米微粒.TEM图表明ZnS纳米微粒较均匀地分布在PVA衬底上,粒径在1～10nm,且具有类似体材料的立方结构.与未掺杂ZnS相...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 采用激光脉冲沉积(PLD)法在Si(100)衬底上生长得到了完全c轴择优取向的LiNbO3(LN)薄膜,X射线衍射分析表明LN(006)衍射峰的半峰宽为0.35°.利用棱镜耦合器,激光可以被...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结...
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100. 掺杂单壁碳纳米管的电流特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 依据Boltzmann方程及单壁碳纳米管(SWNTs)能量色散关系,对单个掺杂SWNTs(金属型和半导体型)所加偏压、掺杂浓度及管口直径影响输运电流的性质进行数值计算.分析表明,掺杂SWNs...
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101. 高线性度外延及注入GaAs Hall器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区...
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102. 快速响应SOI马赫曾德热光调制器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 给出了Y分支MZI热光调制器的模型,实验研制了基于SOI(silicon-on-insulator)的MZI热光调制器,调制器的消光比为-16.5dB,开关的上升时间为10μs,下降时间为2...
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103. 自对准GaInP/GaAs HBT器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电...
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105. 基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 以开关信号理论为指导,对电流型CMOS电路中如何实现阈值控制进行了研究.建立了实现阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上,设计了具有阈值控制功能的电流型CMOS四值比较器、全加器及锁存器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 针对电源电压为1V甚至更低的应用环境,给出了一种基于共模电平偏移电路的新型rail-to-rail运放结构,相对以往同类电路具有很好的对称性和较高的输入阻抗,并对之进行了详细的讨论.在整个共...
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107. 超深亚微米集成电路串扰估计及优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 采用RLC模型来估计互连线间的耦合噪声并对模拟结果进行分析,在此基础上,提出了几种不同的算法实现了带串扰约束的集成电路布线结果调整.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 在基于直接边界元素法的层次式h-自适应计算中,改进了层次式边界元的自动加密方法,提高了计算可靠性.同时,将基于超收敛恢复技术的误差指示器实现于在常数元基础上叠加层次锥函数的寄生电容自适应计算...
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109. 判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 分析了时域无条件稳定算法加速计算的原理和由此造成误差的原因,提出并用实验验证了判断步内建模法(MPWT)模拟的瞬态热过程正确性的"终态-起始段-过程曲线稳定性"的快捷方法.模拟的瞬态过程如正...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年5期页码:摘要： 对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热...
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111. 退火过程中自组织生长Ge量子点的变化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 在超高真空系统中,用扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM)研究了自组织生长的Ge量子点经不同温度退火后的变化.实验发现,当退火温度为630℃时,出现了许多新的量子点.与原来的在分子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长.利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分.采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质.讨论了不同的镓源对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 采用标准双栅CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄膜晶体管性能的影响.实验发现不同的温度处理,将引起器件性能的显著变化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值的影响.在实际计算中,平面波的周期必须选择足够大以保证...
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115. 长线网预处理的过点分配算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 提出了一个长线网预处理的过点分配算法.该算法不仅考虑了过点和物理连接端的连接费用、总体布线单元边界上不同过点之间的互斥费用,而且考虑了同一线网不同过点之间的错位费用.实验结果表明,该算法极大...
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116. 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AF...
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118. 有机衬底SnO2∶Sb透明导电膜的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备出SnO2∶Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构.Sn...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年6期页码:摘要： 提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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