硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

• 作者: 刘盘阁 姬荣琴 孙以材 孟凡斌 潘国峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低温玻璃 芯片封接 特性分析 DSC谱 红外吸收谱 X射线衍射谱
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 555-559
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.021

摘要

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热稳定性好,有利于器件的使用.进一步研究表明,淬火态为无序态,再凝固态为结晶态,其中存在Pb2ZnB2O6的晶体相.无论是在无序态中还是在结晶态中,[BO3]3-离子团都不会破裂,均出现其分子振动的特征简正模.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙以材	河北工业大学微电子所	117	1247	18.0	31.0
2	刘盘阁	河北工业大学高分子材料所	29	334	10.0	17.0
3	潘国峰	河北工业大学微电子所	70	462	10.0	18.0
4	孟凡斌	河北工业大学金属所	32	328	10.0	17.0
5	姬荣琴	河北工业大学高分子材料所	20	329	10.0	18.0