自对准GaInP/GaAs HBT器件

• 作者: 刘训春 王润梅 石瑞英 钱永学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 镓铟磷/镓砷 T形发射极 侧向内切
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 513-516
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.014

摘要

利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石瑞英	中国科学院微电子中心	7	61	5.0	7.0
2	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
3	钱永学	中国科学院微电子中心	5	53	4.0	5.0
4	王润梅	中国科学院微电子中心	15	78	6.0	8.0