减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能

• 作者: 刘训春 孙海峰 汪宁 石瑞英 罗明雄 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准工艺 减小发射极宽度 提高InGaP/GaAs HBT的性能
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 991-994
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2407字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.020

摘要

在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2μm的InGaP/GaAs HBT.发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz,且集电极电流密度为7×104A/cm2时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石瑞英	四川大学物理系	28	141	7.0	11.0
2	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
3	孙海峰	中国科学院微电子研究所	10	45	4.0	6.0
4	罗明雄	中国科学院微电子研究所	5	20	3.0	4.0
5	袁志鹏	中国科学院微电子研究所	11	33	3.0	5.0
6	汪宁	中国科学院微电子研究所	9	46	4.0	6.0