发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析

• 作者: 刘新宇 吴德馨 杨威 王显泰 申华军 葛霁 陈延湖
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs 发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.001

摘要

为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	杨威	中国科学院微电子研究所	60	460	11.0	19.0
4	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
5	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
6	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
7	陈延湖	中国科学院微电子研究所	6	54	5.0	6.0