自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海峰 王延锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准工艺 InGaP/GaAs HBT 跨阻放大器
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 406-410
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.015

摘要

对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究.采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件平均阈值电压为1.15V,单指管子电流增益为50,发射极面积4μm×14μm的单管在IB=200μA和VCE=2V偏压条件下截止频率达到了40GHz.设计并制作了直接反馈和CE-CC-CC两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时分别为50.6dBΩ和45.1dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,电路最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
4	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
5	王延锋	中国科学院微电子中心	2	12	2.0	2.0