基于InGaP/GaAs HBT的X波段MMIC功率放大器研制

• 作者: 刘新宇 吴德馨 李滨 王显泰 申华军 葛荠 陈延湖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HBT MMIC X波段
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 759-762
• 页数: 4页
• 分类号: TN431
• 字数: 1247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.026

摘要

研制了X波段的InGaP/GaAs HBT 单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8～8.5GHz范围内,线性增益为8～9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9～10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE＞40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	李滨	中国科学院微电子研究所	32	532	13.0	23.0
4	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
5	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
6	陈延湖	中国科学院微电子研究所	6	54	5.0	6.0
7	葛荠	中国科学院微电子研究所	1	12	1.0	1.0