采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长

• 作者: 张广泽 朱晓鹏 王国宏 陈良惠 韦欣 马骁宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaNAs 金属有机化学气相沉积 杂质 沾污 高分辨X射线双晶衍射 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 565-570
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 1108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.002

摘要

采用MOCVD方法,利用二甲基肼为氮源,进行了GaNAs材料的生长.利用高分辨X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的组分.采用室温光致发光谱测量了样品的光学性质.讨论了不同的镓源对GaNAs材料质量和其中的杂质含量的影响,结果证明三乙基镓在GaNAs的低温生长中比三甲基镓具有更大的优势.采用三乙基镓生长的GaNAs中氮的含量达到5.688%.光致发光谱的峰值波长为1278.5nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良惠	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	59	338	11.0	15.0
2	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	93	616	12.0	21.0
3	王国宏	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	41	1911	17.0	41.0
4	韦欣	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	10	38	3.0	6.0
5	朱晓鹏	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	5	14	2.0	3.0
6	张广泽	中国科学院半导体研究所光电子器件国家研究中心	5	15	2.0	3.0