高线性度外延及注入GaAs Hall器件

• 作者: 郑一阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Hall器件 有源区及过渡区分布 2.5T磁场下±0.04％的高磁线性度
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 505-508
• 页数: 4页
• 分类号: TN382
• 字数: 2909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.012

摘要

讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度.GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离,但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿,在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中,可以得到在2.5T的强磁场下,±0.04%的高磁线性度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑一阳	中国科学院半导体研究所	4	13	2.0	3.0