GaAs外延薄膜的As缺位研究

• 作者: 吴卫东 唐永建 王瑜英 王雪敏 阎大伟
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光分子束 量子阱超晶格 生长机理
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 太赫兹光子学与光电子学
• 页码范围: 351-357
• 分类号: O484.4
• 字数: 4074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2011.03.021

摘要

研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题.采用激光分子束外延技术制备了GaAs外延薄膜,研究了实验参数对GaAs薄膜性能,特别是As缺位的影响.在线RHEED测试结果表明,GaAs可以实现外延生长.原位XPS和UPS等测试研究结果表明,激光分子束外延技术制备GaAs外延薄膜过程中存在As缺位问题,激光能量对GaAs薄膜中As含量具有明显的影响,要获得理想成分比的GaAs外延薄膜,需要较高的脉冲激光能量(600 mJ).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永建	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	281	2334	24.0	31.0
2	吴卫东	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	140	1087	18.0	26.0
3	王雪敏	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	16	26	4.0	5.0
4	阎大伟	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	6	5	2.0	2.0
5	王瑜英	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	1	1.0	1.0