GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性

• 作者: 付羿 冯志宏 冯淦 孙元平 张宝顺 张泽洪 杨辉 沈晓明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相GaN MOVPE 湿法腐蚀 非对称性
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 707-712
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 1204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.007

摘要

对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH水溶液以及熔融KOH,腐蚀温度为90～300℃.实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑.KOH溶液腐蚀出长方形的坑,长边平行于(111)A面,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同.用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性.此外,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错.