Si基外延GaN中缺陷的腐蚀研究

• 作者: 冯玉春 刘彩池 孙世龙 徐岳生 朱军山 滕晓云 王海云 胡家辉 赵丽伟 郝秋艳 郭宝平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 湿法腐蚀 六角腐蚀坑 SEM
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1079-1082
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019

摘要

本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.