Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响

• 作者: 张会媛 张蕾 王基庆 邢怀中 黄燕
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN:Si 第一性原理 磁性
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 全国半导体物理学术会议邀请报告选编
• 页码范围: 229-231,249
• 分类号: O469
• 字数: 3262字
• 语种: 中文

摘要

利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄燕	中国科学院上海技术物理研究所国家红外物理室	26	255	7.0	15.0
2	邢怀中	东华大学应用物理系	14	45	5.0	5.0
3	王基庆	华东师范大学电子工程系	9	37	3.0	6.0
4	张蕾	东华大学应用物理系	6	5	2.0	2.0
5	张会媛	东华大学应用物理系	2	2	1.0	1.0