利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究

• 作者: 叶志镇 汪雷 黄靖云
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 硅外延 超高真空CVD
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 88-91
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.019

摘要

利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学材料系	155	1638	21.0	35.0
2	汪雷	浙江大学材料系	41	646	13.0	25.0
3	黄靖云	浙江大学材料系	51	610	12.0	23.0