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摘要:
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象
来源期刊 材料科学与工程学报 学科 工学
关键词 锗硅合金 表面偏析 表面耗尽 超高真空化学气相沉积
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 161-163
页数 3页 分类号 TN304.054
字数 1934字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶志镇 浙江大学硅材料国家重点实验室 155 1638 21.0 35.0
2 黄靖云 浙江大学硅材料国家重点实验室 51 610 12.0 23.0
3 吴贵斌 浙江大学硅材料国家重点实验室 11 70 4.0 8.0
4 崔继锋 浙江大学硅材料国家重点实验室 3 13 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
锗硅合金
表面偏析
表面耗尽
超高真空化学气相沉积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程学报
双月刊
1673-2812
33-1307/T
大16开
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
1983
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
总被引数(次)
42484
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