UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

• 作者: 叶志镇 吴贵斌 崔继锋 黄靖云
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅合金 表面偏析 表面耗尽 超高真空化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002

摘要

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	崔继锋	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	13	3.0	3.0