水热沉积锗纳米棒的生长机理

• 作者: 俞海云 张千峰 樊传刚 裴立宅 赵海生 陶新秀
• 来源期刊: 安徽工业大学学报（自然科学版）
• 关键词: 锗纳米棒 水热沉积 生长机理
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7872.2010.01.011

摘要

以锗、二氧化锗为锗源,于400℃和7.1-8.0 MPa的水热条件下在铜片上沉积出了单晶锗纳米棒.对不同金属基片作为衬底的实验结果表明铜片衬底在纳米棒的形成过程中起到了重要作用,对二氧化锗、锗分别作为原料的实验结果表明二氧化锗在锗纳米棒的形成过程中起到了关键作用,提出了锗酸铜辅助生长机理,初步解释了水热沉积锗纳米棒的生长过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊传刚	安徽工业大学材料科学与工程学院分子工程与应用化学研究所	53	199	8.0	12.0
2	俞海云	安徽工业大学材料科学与工程学院分子工程与应用化学研究所	15	58	3.0	7.0
3	裴立宅	安徽工业大学材料科学与工程学院分子工程与应用化学研究所	47	141	8.0	10.0
4	赵海生	安徽工业大学材料科学与工程学院分子工程与应用化学研究所	3	8	2.0	2.0
5	陶新秀	安徽工业大学材料科学与工程学院分子工程与应用化学研究所	5	22	2.0	4.0