中性束蚀刻及其所用离子源

• 作者: 王耿介
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 工学
• 关键词: 中性束 离子源 蚀刻
• 年，卷（期）: gwhjb_1995,（5）
• 页码范围: 57-68
• 页数: 12页
• 分类号: TN405.983

摘要

随着大规模集成电路和半导体器件结构尺寸的不断缩小和器件复杂性的不断增加，低能中性束由于其固有的电中性性质将成为进行无电荷和低损伤蚀刻的一种有前途的技术。本文给出了蚀刻微细图案的发展状况，估价了低能中性束蚀刻的优越性，评述了蚀刻用低能中性束源及其用于蚀刻研究的目前世界状况，分析了把各种离子源用于低能中性束蚀刻的潜力和限制，并提出了研制中性束源及其蚀刻的建议。