CMOS运算放大器的质子辐照效应

• 作者: 任迪远 陆妩
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 质子辐照效应 运算放大器 跨导下降
• 年，卷（期）: 1996,（2）
• 页码范围: 4-8
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.77

摘要

本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质子辐照引起多数载波子迁移率的降低，导致ＭＯＳＦＥＴ跨导下造成ＣＭＯＳ运放电路失效的主要原因，同时，比较了三种不同能量质子的辐照结果，表明电路的损伤与能量有一定的关系。