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用NH3作为N源可提高GaN的生长速率
用NH3作为N源可提高GaN的生长速率
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NH3
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GAN
半导体
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用NH3作为N源可提高GaN的生长速率
来源期刊
电子材料快报
学科
工学
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NH3
N源
GAN
半导体
MOCVD法
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1996,(3)
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天津电子材料研究所
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