硅上异质外延氧化铝的X射线测试分析

• 作者: 咎育德 郑文莉
• 来源期刊: 北京同步辐射装置年报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体 外延生长
• 年，卷（期）: bjtbfszznb,（1）
• 页码范围: 66-67
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.12

摘要

高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	咎育德	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
2	郑文莉	中国科学院高能物理所	5	34	1.0	5.0