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用FIB植入和局部闪光灯熔化法制备亚μmmCoSi2结构
用FIB植入和局部闪光灯熔化法制备亚μmmCoSi2结构
作者:
张正模
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集成电路
聚集离子束
离子植入
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用FIB植入和局部闪光灯熔化法制备亚μmmCoSi2结构
来源期刊
等离子体应用技术快报
学科
工学
关键词
集成电路
聚集离子束
离子植入
二硅化钴
年,卷(期)
1997,(10)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
6-7
页数
2页
分类号
TN305.3
字数
语种
DOI
五维指标
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1997(0)
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集成电路
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二硅化钴
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引文网络交叉学科
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等离子体应用技术快报
主办单位:
核工业西南物理研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
四川省成都市432信箱
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创刊时间:
语种:
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