直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

• 作者: 咸立芬 孙会元 聂向富 胡海宁
• 来源期刊: 河北科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁表面态 磁膜 磁畴 硬磁畴 自崩灭 垂直布洛赫线
• 年，卷（期）: 1998,（2）
• 页码范围: 40-42
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1542.1998.02.010

摘要

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数.此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙会元	河北师范大学物理系	38	76	5.0	6.0
2	胡海宁	河北师范大学物理系	3	2	1.0	1.0
3	聂向富	河北师范大学物理系	30	97	5.0	8.0
4	咸立芬	河北科技大学基础科学部	5	21	2.0	4.0