HgCdTe光导探测器的失效分析

• 作者: 胡晓宁 邹子英
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 失效分析 光导探测器 缺陷 工艺损伤 汞 镉 碲
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TN215.05

摘要

利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹子英		12	55	5.0	7.0
2	胡晓宁	中科院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0