耗尽层的时域介电谱

• 作者: 孙少锋 李景德 陈敏
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 时域介电谱 耗尽层 二氧化硅 硅单晶
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 413-417
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.03.015

摘要

从金属-半导体-绝缘体-金属(MSIM)层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因. 对于这种结构, 用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敏	中山大学物理系	77	302	8.0	16.0
2	李景德	中山大学物理系	22	97	5.0	9.0
3	孙少锋	中山大学物理系	1	0	0.0	0.0