TIO_2薄膜敏感特性研究

• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 MOCVD TIO2 伏安特性
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 164-170
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

利用 MOCVD工艺可制备得到锐钛矿型TIO2薄膜,在其上溅射金属 PT并控制工艺流程的温度,PT/TIO2间将形成良好的金半整流接触.该PT/TIO2肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性,响应时间短,对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏.同时,该 PT/TIO2肖特基二极管还对约 250－370 NM的紫外光敏感.该文研究了 PT/TIO2肖特基二极管气敏和光敏特性,分析了敏感机理.