真空微电子三极管与四极管的模拟计算

• 作者: 杨中海 杨存宇 黄金源
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空微电子 场致发射 计算机模拟 福勒-诺德海姆公式
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.1999.01.015

摘要

对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟.模拟结果显示了发射电流与场致增强因子依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析.最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨中海	电子科技大学高能电子所	97	814	15.0	24.0
2	杨存宇	电子科技大学高能电子所	1	5	1.0	1.0
3	黄金源	电子科技大学高能电子所	2	12	2.0	2.0