硅三极管电子辐照的残余电压效应

• 作者: 巫晓燕 温景超 王靳君 田野 石瑞英 龚敏
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 硅三极管 电子辐照 残余电压
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 881-884
• 分类号: TN325.2|TL99
• 语种: 中文

摘要

研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5 MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2.实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大.认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的.