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硅三极管电子辐照的残余电压效应
硅三极管电子辐照的残余电压效应
作者:
巫晓燕
温景超
王靳君
田野
石瑞英
龚敏
原文服务方:
原子能科学技术
硅三极管
电子辐照
残余电压
摘要:
研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5 MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013~1.2×1016 cm-2.实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大.认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的.
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
硅三极管电子辐照的残余电压效应
来源期刊
原子能科学技术
学科
关键词
硅三极管
电子辐照
残余电压
年,卷(期)
2012,(7)
所属期刊栏目
技术及应用
研究方向
页码范围
881-884
页数
分类号
TN325.2|TL99
字数
语种
中文
DOI
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硅三极管
电子辐照
残余电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
主办单位:
中国原子能科学研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-6931
CN:
11-2044/TL
开本:
大16开
出版地:
北京275信箱65分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
总被引数(次)
27955
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