偏压下弛豫型铁电陶瓷有效介电系数稳定方法的研究

• 作者: 姚熹 孙海君 张良莹 袁战恒
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 独石电容 弛豫型铁电体 偏压特性 介电系数 稳定方法
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 页码范围: 513-519
• 页数: 7页
• 分类号: TN604
• 字数: 3620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.1999.05.001

摘要

本研究利用调整有效介电常数的互补公式[1]及B位离子振动模型的位移公式[2],导出了用于PMN/PZN/PT,PMN/PZN系铁电陶瓷稳定有效介电常数的经验公式:=T-T02/T-T01 A2=d1/d2 A1.用此式对PZN,PMN基铁电陶瓷偏压特性的研究,发现铁电陶瓷偏压下有效介电常数主要受其构型、A及B位离子的电负性差、添加剂的加权电负性差、宽容因子及其添加量的影响.研究表明用此式对调整弛豫型铁电陶瓷的有效介电系数更加直观.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张良莹	西安交通大学电子工程系	59	646	15.0	22.0
2	姚熹	西安交通大学电子工程系	172	1611	18.0	30.0
3	袁战恒	西安交通大学电子工程系	17	38	4.0	5.0
4	孙海君	西安交通大学电子工程系	2	3	1.0	1.0