MBE生长高功率半导体激光器

• 作者: 张兴德 张宝顺 曲轶 薄报学 高欣
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 高功率半导体激光器 分子束外延 激光器阵列
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 366
• 页数: 1页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.05.020

摘要

对影响分子束外延(MBE)材料生长的一些主要因素进行了细致的分析.利用MBE生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱激光器(GRIN-SCH-SQW)材料.利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了60 W(t=200 μs,f=50 Hz),峰值波长为808.4 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宝顺	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	8	17	2.0	4.0
2	张兴德	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	21	81	5.0	8.0
3	高欣	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	15	79	5.0	8.0
4	曲轶	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	11	76	4.0	8.0
5	薄报学	长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室	11	99	4.0	9.0