掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展

• 作者: 亓震 卢焕明 叶志镇 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 SiGeC合金 能带结构 应变弛豫 价带补偿 荧光光谱
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 154-158
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 4219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.03.003

摘要

近几年来SiGeC三元合金受到人们的广泛关注,日益成为研究的热点之一.碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,并调节其能带.总结了碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响,尤其是对弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用,并对其机理做了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	亓震	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	11	2.0	2.0
5	卢焕明	浙江大学硅材料国家重点实验室	17	361	9.0	17.0