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摘要:
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
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文献信息
篇名 锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究
来源期刊 材料科学与工程 学科 工学
关键词 锗硅碳合金 应变弛豫 超高真空CVD
年,卷(期) 2000,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-27,10
页数 4页 分类号 TN304
字数 2289字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶志镇 浙江大学硅材料国家重点实验室 155 1638 21.0 35.0
2 赵炳辉 浙江大学硅材料国家重点实验室 74 719 14.0 24.0
3 汪雷 浙江大学硅材料国家重点实验室 41 646 13.0 25.0
4 黄靖云 浙江大学硅材料国家重点实验室 51 610 12.0 23.0
5 章国强 浙江大学硅材料国家重点实验室 3 7 2.0 2.0
6 亓震 浙江大学硅材料国家重点实验室 6 11 2.0 2.0
7 卢焕明 浙江大学硅材料国家重点实验室 17 361 9.0 17.0
传播情况
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1993(1)
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研究主题发展历程
节点文献
锗硅碳合金
应变弛豫
超高真空CVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程学报
双月刊
1673-2812
33-1307/T
大16开
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
1983
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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