锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

• 作者: 亓震 卢焕明 叶志镇 汪雷 章国强 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅碳合金 应变弛豫 超高真空CVD
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 25-27,10
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005

摘要

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	章国强	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
6	亓震	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	11	2.0	2.0
7	卢焕明	浙江大学硅材料国家重点实验室	17	361	9.0	17.0