多晶La-Pb-Mn-O体材料的巨磁电阻效应

• 作者: Higuchi Noboru Ito Toshimitsu Okada Yasumasa Okutomi Mamoru Tsukamoto Koichi Yanagisawa Takeshi 沈勤我 沈鸿烈 祝向荣 邹世昌
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁电阻 金属-半导体转变温度 多晶
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 915-920
• 分类号: TM271
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.013

摘要

利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别达到72%和85%.在77K～室温的温度范围内,材料都具有GMR效应,Tp附近具有GMR峰值效应.GMR效应与自旋极化子行为有关,而Tp附近的GMR峰值效应除了与自旋极化子行为有关外,与磁场作用下载流子自旋无序散射的急剧下降也有关.另外,多晶材料丰富的晶界结构对材料在整个测量温度范围内,尤其是温度远低于Tp时的GMR效应也有贡献.在Tp处,晶粒间自旋极化隧道效应被抑制,导致低场GMR效应的消失.