PLT15薄膜热释电红外传感器的研制

• 作者: 刘梅冬 曾亦可 绕韫华
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 薄膜 热释电性 红外传感器
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TM534.1|TM221
• 字数: 1500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.1999.06.003

摘要

用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)结构衬底上沉积了高度C轴取向La改性的PbTiO3(PLT15)薄膜.研究了PLT15薄膜的电晕极化方法,用此方法同时对多个热释电敏感单元进行了极化.利用PLT15薄膜制备了热释电红外传感器,薄膜厚度是2μm,真空蒸发的Ni-Cr电极面积为1.2 mm×1.0 mm,敏感元下的Si(100)基片用热KOH和EPW进行刻蚀.用所设计的热释电系数测试系统对PLT15薄膜样品进行了测试,研究了其热释电特性.测试结果表明,PLT15薄膜样品的热释电电流ip 平均为 2.1×10-11 A,而对应的热释电系数p为2.52×10-8 C·(cm2·K)-1.这类薄膜很适合制备红外传感器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘梅冬	华中理工大学电子科学与技术系	8	91	4.0	8.0
2	曾亦可	华中理工大学电子科学与技术系	6	55	4.0	6.0
3	绕韫华	华中理工大学电子科学与技术系	2	4	1.0	2.0