用提拉法生长的GdCa4O(BO3)3晶体的结构缺陷研究

• 作者: 张吉果 张树君 程振祥 陈焕矗 韩建儒
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GdCOB晶体 化学腐蚀 位错 自发极化
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 350-354
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.010

摘要

利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树君	山东大学晶体材料国家重点实验室	24	84	6.0	7.0
2	张吉果	山东大学晶体材料国家重点实验室	11	15	2.0	3.0
3	韩建儒	山东大学晶体材料国家重点实验室	27	83	6.0	8.0
4	陈焕矗	山东大学晶体材料国家重点实验室	41	156	7.0	10.0
5	程振祥	山东大学晶体材料国家重点实验室	24	144	8.0	10.0